收藏本站
NP50P04SDG
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
30
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10000
C iss
20
1000
C oss
V GS = ? 4.5 V
C rss
10
? 10 V
100
0
I D = ? 25 A
Pulsed
10
V GS = 0 V
f = 1 MHz
-75
-25
25
75
125
175
225
-0.1
-1
-10
-100
T ch - Channel Temperature - ° C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
-40
-12
100
t d(on)
t d(off)
t f
-30
-20
V DD = ? 32 V
? 20 V
? 8 V
V GS
-9
-6
10
t r
V DD = ? 20 V
V GS = ? 10 V
-10
V DS
-3
1
R G = 0 Ω
0
I D = ? 50 A
0
-0.1
-1
-10
-100
0
20
40
60
80
100
120
-1000
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
1000
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
-100
V GS = ? 10 V
-10
0V
100
-1
-0.1
-0.01
Pulsed
10
1
di/dt = ? 100 A/ μ s
V GS = 0 V
0
0.5
1
1.5
-0.1
-1
-10
-100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D19072EJ2V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NP50P06KDG-E1-AY MOSFET P-CH 60V 50A TO-263
NP50P06SDG-E1-AY MOSFET P-CH -60V 50A TO-252
NP52N055SUG-E1-AY MOSFET N-CH 55V 52A TO-252
NP52N06SLG-E1-AY MOSFET N-CH 60V 52A T0-252
NP55N03SUG-E1-AY MOSFET N-CH 30V 55A TO-252
NP55N055SDG-E1-AY MOSFET N-CH 55V 55A TO-252
NP55N055SUG-E1-AY MOSFET N-CH 55V 55A TO-252
NP60N03KUG-E1-AY MOSFET N-CH 30V 60A TO-263
相关代理商/技术参数
NP50P04SLG 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP50P04SLG-E1-AY 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP50P04SLG-E2-AY 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP50P06KDG 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP50P06KDG-E1-AY 功能描述:MOSFET P-CH 60V 50A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NP50P06KDG-E2-AY 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP50P06SDG-E1-AY 功能描述:MOSFET P-CH -60V 50A TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NP50P06SDG-E2-AY 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: